5 月 16 日消息，据 TechPowerUp 消息，西部数据与铠侠合作，将在今年量产第六代 BiCS NAND，该产品采用了162 层 NAND 闪存堆叠技术。
据介绍，西部数据与铠侠的 162 层 NAND 闪存将达到竞争对手 176 层的容量，而且芯片尺寸更小，单晶圆可达 100TB，比上一代的单晶圆 70TB 大幅增加。
西部数据与铠侠还公布了未来的路线图，2024 年的 BiCS+ 的层数超过 200 层，如果一切按计划进行，2032 年应该会看到 500 层 NAND 闪存。
IT之家曾报道，2020 年，西部数据公司和铠侠公司发布了第五代 BiCS 3D NAND，BiCS5 的设计使用了 112 层设计，密度相比上代增加了 40%。接口速度提高了 50%，达到 1.2GT / s。第六代 BiCS NAND 的参数信息预计会在今年晚些时候量产时公布。
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